浙大教授吴朝晖杨德仁当选中国科学院院士

发布:2017-11-28 10:14:48    来源:校友总会    点击:290

11月28日,中国科学院公布了2017年新增院士名单。浙江大学计算机科学与技术学院教授吴朝晖、材料科学与工程学院教授杨德仁当选中国科学院院士。

吴朝晖教授长期从事计算机科学与技术领域研究,在复杂服务计算和脑机融合的混合智能(Cyborg Intelligence)等代表性方向取得了系统的、创造性的科技成果;杨德仁教授长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。

吴朝晖院士介绍:

吴朝晖,男,汉族,1966年12月出生,浙江温州人,1995年6月加入中国共产党,1993年10月参加工作,浙江大学计算机应用专业毕业,研究生学历,博士。现为浙江大学校长、党委副书记。浙江大学计算机科学与技术学院教授,博士生导师。中国共产党第十九届中央委员会候补委员。2017年当选为中国科学院院士。

1984年9月至1988年6月在浙江大学混合班、计算机软件专业学习,1988年9月至1993年10月为浙江大学计算机应用专业硕士、博士研究生,其间1991年9月至1993年9月在德国人工智能研究中心学习。

1993年10月开始在浙江大学计算机学院(系)任教,2000年晋升教授,2005年获国家杰出青年科学基金资助,2009年入选“国家百千万人才工程”,2011年获评浙江省特级专家,2012年入选科技部重点领域创新团队。2003年1月至2010年12月担任国家863计划“十五”、“十一五”信息技术领域专家组成员,2006年4月至今担任国家现代服务业领域总体专家组副组长、组长,2008年8月至今担任国家“核高基”科技重大专项实施专家组成员,2013年1月至今担任973计划 “脑机融合感知与认知的计算理论与方法”项目首席科学家。

1998年起,先后任浙江大学计算机系副系主任、软件与网络学院副院长、计算机学院副院长、科学技术处处长、科学技术研究院常务副院长等职,2007年6月起先后任浙江大学校长助理、副校长、常务副校长,2015年3月任浙江大学校长。2017年10月当选中国共产党第十九届中央委员会候补委员,2017年11月当选中国科学院院士。

作为第一完成人,曾获国家技术发明二等奖1项、国家科技进步二等奖1项、省部级科技一等奖5项,2011年荣获何梁何利科技创新奖,研究成果入选2016年中国高校十大科技进展。

研究领域:长期从事计算机科学与技术领域研究,在复杂服务计算和脑机融合的混合智能(Cyborg Intelligence)等代表性方向取得了系统的、创造性的科技成果。

学术贡献:在服务计算方面,提出了复杂服务计算理论模型与方法,主持研制了复杂服务计算支撑平台,产生了重大经济与社会效益。在脑机融合的混合智能(Cyborg Intelligence)方面,提出了混合智能体系结构及脑在回路的信息处理模型;发明了多种脑机间智能交互、融合增强的技术方法,主持构建了听视觉增强的大鼠机器人等原型系统,产生了重要国际影响。发表论文180余篇,出版英文著作4部,授权发明专利120余项、国际专利2项。

杨德仁院士介绍:

杨德仁,男,汉族,1964年4月出生,江苏扬州人,1983年11月加入中国共产党,1991年6月参加工作,浙江大学半导体材料专业毕业,研究生学历,博士。现为浙江大学材料科学与工程学院教授,浙江大学硅材料国家重点实验室主任,博士生导师。2017年当选为中国科学院院士。

1981年9月至1991年6月为浙江大学材料科学与工程学院(系)本科、硕士和博士研究生。1993年浙江大学材料科学与工程博士后流动站出站,晋升副教授,其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。1995年初赴德国FREIBERG工业大学工作,1997年5月被浙江大学特批晋升教授,1998年初回国在浙江大学工作。

2000年受聘教育部长江学者奖励计划特聘教授,2002年获国家杰出青年科学基金,2011年获评浙江省特级专家,2007年和2013年担任两期“硅基光电子发光材料与器件”领域的973项目首席科学家,2017年获国家自然科学基金委创新研究群体项目。2008年至今兼任国家重大科技专项(02)专家组成员。

1998年起,先后任硅材料国家重点实验室副主任、主任;2003年起,先后兼任半导体材料研究所副所长、所长。

作为第一完成人,曾获国家自然科学奖二等奖2项、省部级科技一等奖4项。获全国五一劳动奖章,中国青年科技奖,全国优秀科技工作者,浙江省“十大时代先锋”等荣誉。

研究领域:长期从事超大规模集成电路用硅单晶材料、太阳能光伏硅材料、硅基光电子材料及器件、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。

学术贡献:主要从事半导体硅材料研究,取得了系列创新成果。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题,促进了其在国际上的广泛应用;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术,系统解决了相关硅晶体的基础科学问题,实现了实际应用;研究了纳米硅等的制备、结构和性能,成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料,为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI论文680余篇,参编英文著作5部,授权国家发明专利130余项。



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